如图所示,绝缘的中空轨道竖直固定,圆弧段COD光滑,对应圆心角为1200,CD两端等高,O为最低点,圆弧的圆心为O′,半径为R;直线段AC、HD粗糙且足够长,与圆弧段分别在C、D端相切.整个装置处于方向垂直于轨道所在平面向里、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,在竖直虚线MC左侧和虚线ND右侧存在着电场强度大小相等、方向分别为水平向右和水平向左的匀强电场.现有一质量为m、电荷量恒为q、直径略小于轨道内径、可视为质点的带正电小球,从轨道内距C点足够远的P点由静止释放.若小球所受电场力的大小等于其重力的 倍,小球与直线段AC、HD间的动摩擦因数均为μ,重力加速度为g,求:
(1)小球在第一次沿轨道AC下滑的过程中的最大加速度和最大速度;
(2)小球经过长时间的往复运动过程中,轨道最低点O对小球最小支持力的大小
如图所示,两平行金属导轨间的距离L=0.4m,金属导轨所在的平面与水平面夹角θ=370,在导轨所在的平面内,分布着磁感应强度B=0.5T、方向垂直于导轨所在平面向上的匀强磁场;金属导轨的一端接有电动势E=4.5V、内阻r=0.50Ω的直流电源.现把一个质量为m=0.04kg的导体棒ab放在金属导轨上,导体棒静止,导体棒的电阻R=2.5Ω.其余电阻不计,g=10m/s2.已知sin37°=0.60,cos37°=0.80,求:
(1)导体棒受到的摩擦力的大小
(2)若导轨光滑,仍能使导体棒静止在导轨上,求所加匀强磁场磁感应强度的最小值Bmin及Bmin的方向
如图所示,一质量为m,电荷量为e的电子,以某一速度垂直左边界射入磁感应强度为B的匀强磁场中,穿出磁场时速度方向与电子原来入射方向间的夹角为300,磁场左右边界平行,边界之间的距离为L,不计重力影响
求:(1)电子穿过磁场的时间;
(2)电子的速度;
物质材料的电阻率往往随温度的变化而变化,一般金属材料的电阻随温度的升高而增大,而半导体材料的电阻率随温度升高而减小;某课题研究组需要研究某种导电材料的导电规律,他们选用的器材有:
用该种导电材料制作而成的电阻较小的元件Z;
电压表V(量程3V,内阻约3kΩ);
电流表A(量程3A,内阻约0.05Ω);
电源E(电动势2V,内阻不计)
滑动变阻器R(最大阻值约1Ω)、开关S、导线.
同学甲实验测得元件Z的电压与电流的关系如表所示,
U/V | 0 | 0.40 | 0.60 | 0.80 | 1.00 | 1.20 | 1.50 |
I/A | 0 | 0.20 | 0.45 | 0.80 | 1.25 | 1.80 | 2.80 |
①甲同学在实验过程中,采用的电路图是
②根据甲同学的实验数据,可判断元件Z是 材料(填“金属”或“半导体”)
③乙同学采用同样的方法进行实验,检查实验电路连接正确,然后闭合开关,调节滑动变阻器滑动头,发现电流表和电压表指针始终不发生偏转.在不断开电路的情况下,检查电路故障,应该使用多用电表挡(填“欧姆×10”、“直流电压 2.5V”、“直流电流 2.5mA”),检查过程中将多用表的红、黑表笔与电流表“+”、“-”接线柱接触时,多用电表指针发生较大偏转,说明电路故障是 。
霍尔元件可以用来检测磁场及其变化,测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B的实验电路如图所示:
(1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电,电流从乙图中霍尔元件左侧流入,右侧流出,所测磁场的方向竖直向下,霍尔元件 (填“前”或“后”)表面电势高;
(2)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n,每个自由电荷的电荷量为q,霍尔元件长为a,宽为b,高为h,为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有 (写出具体的物理量名称及其符号),计算式B= 。
竖直放置的固定绝缘光滑轨道由半径分别为R的四分之一圆周MN和半径r的半圆周NP拼接而成,两段圆弧相切于N点,R>2r,小球带正电,质量为m,电荷量为q.已知将小球由M点静止释放后,它刚好能通过P点,重力加速度为g,不计空气阻力.下列说法正确的是( )
A.若整个轨道空间加竖直向上的匀强电场E(Eq<mg),则小球仍能通过P点
B.若整个轨道空间加竖直向下的匀强电场,则小球不能通过P点
C.若整个轨道空间加垂直纸面向里的匀强磁场,则小球一定不能通过P点
D.若整个轨道空间加垂直纸面向外的匀强磁场,则小球可能不能通过P点