物质材料的电阻率往往随温度的变化而变化，一般金属材料的电阻随温度的升高而增大，而半导体材料的电阻率随温度升高而减小；某课题研究组需要研究某种导电材料的导电规律，他们选用的器材有：
用该种导电材料制作而成的电阻较小的元件Z；
电压表V（量程3V，内阻约3kΩ）；
电流表A（量程3A，内阻约0．05Ω）；
电源E（电动势2V，内阻不计）
滑动变阻器R（最大阻值约1Ω）、开关S、导线．
同学甲实验测得元件Z的电压与电流的关系如表所示，
U/V | 0 | 0．40 | 0．60 | 0．80 | 1．00 | 1．20 | 1．50 |
I/A | 0 | 0．20 | 0．45 | 0．80 | 1．25 | 1．80 | 2．80 |
①甲同学在实验过程中，采用的电路图是
②根据甲同学的实验数据，可判断元件Z是 材料（填“金属”或“半导体”）
③乙同学采用同样的方法进行实验，检查实验电路连接正确，然后闭合开关，调节滑动变阻器滑动头，发现电流表和电压表指针始终不发生偏转．在不断开电路的情况下，检查电路故障，应该使用多用电表挡（填“欧姆×10”、“直流电压 2．5V”、“直流电流 2．5mA”），检查过程中将多用表的红、黑表笔与电流表“+”、“-”接线柱接触时，多用电表指针发生较大偏转，说明电路故障是 。
霍尔元件可以用来检测磁场及其变化，测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B的实验电路如图所示：
（1）制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，所测磁场的方向竖直向下，霍尔元件 （填“前”或“后”）表面电势高；
（2）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为q，霍尔元件长为a，宽为b，高为h，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B，还必须测量的物理量有 （写出具体的物理量名称及其符号），计算式B= 。
竖直放置的固定绝缘光滑轨道由半径分别为R的四分之一圆周MN和半径r的半圆周NP拼接而成，两段圆弧相切于N点，R>2r，小球带正电，质量为m，电荷量为q．已知将小球由M点静止释放后，它刚好能通过P点，重力加速度为g，不计空气阻力．下列说法正确的是（ ）
A．若整个轨道空间加竖直向上的匀强电场E（Eq＜mg），则小球仍能通过P点
B．若整个轨道空间加竖直向下的匀强电场，则小球不能通过P点
C．若整个轨道空间加垂直纸面向里的匀强磁场，则小球一定不能通过P点
D．若整个轨道空间加垂直纸面向外的匀强磁场，则小球可能不能通过P点
如图所示为磁流体发电机的原理图：将一束等离子体垂直于磁场方向喷入磁场，在磁场中有两块金属板A、B，这时金属板上就会聚集电荷，两板间就会产生电压，如果射入的等离子体速度均为v，两金属板间距离为d，板平面的面积为S，匀强磁场的磁感应强度为B，方向垂直于速度方向，负载电阻为R，等离子体充满两板间的空间．当发电机稳定发电时，电流表示数为I，下列说法正确的是（ ）
A．上极板A带负电
B．两极板间的电动势为IR
C．板间等离子体的内阻是
D．板间等离子体的电阻率
如图所示，一个半径为R的导电圆环与一个轴向对称的发散磁场处处正交，环上各点的磁感应强度B大小相等，方向均与环面轴线方向成θ角（环面轴线为竖直方向）．若导线环上载有如图所示的恒定电流I，则下列说法正确的是（ ）
A．导电圆环所受安培力方向竖直向上
B．导电圆环所受安培力方向竖直向下
C．导电圆环所受安培力的大小为2BIR
D．导电圆环所受安培力的大小为2πBIRsinθ
圆环形铁芯上绕有MN两个线圈，其绕向如图所示，cd处接有电源，下列说法正确的是
A．S接通瞬间、断开瞬间及保持接通时，都有电流通过电阻R
B．若S接通瞬间，发现b端电势比a端高，则c端一定是电源的正极
C．若S断开瞬间，发现b端电势比a端高，则c端一定是电源的正极
D．若S断开瞬间，发现有电流由a经电阻R流向b，则c端一定是电源的正极
