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如图甲所示,在直角坐标系0≤x≤L区域内有沿y轴正方向的匀强电场,右侧有一个以点...

如图甲所示,在直角坐标系0≤x≤L区域内有沿y轴正方向的匀强电场,右侧有一个以点3L,0为中心、边长为2L的正方形区域,其边界ab与x轴平行,正方形区域与x轴的交点分别为M、N.在该正方形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场,现有一质量为m,带电量为e的电子,从y轴上的A点以速度v0沿x轴正方向射入电场,飞出电场后从x点以与x轴夹角为30°的方向进入正方形区域,并恰好从d点射出.

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(1)求匀强电场E的大小;

(2)求匀强磁场B的大小;

(3)若当电子到达M点时,在正方形区域换加如图乙所示周期性变化的磁场(以垂直于纸面向外为磁场正方向),最后电子运动一段时间后从N点飞出,求正方形磁场区域磁感应强度B0大小的表达式、磁场变化周期T与B0的关系式.

 

(1) (2) (3)(n=1,2,3,……);   【解析】 试题分析: (1)电子飞出电场的方向与x轴成300 L=v0t 解得: (2)设电子进入磁场的速度为v,则 由几何关系可知: 根据牛顿第二定律可知: 解得: (3)若电子从N点飞出,在磁场中的运动如图所示; 根据边角关系可得:Nr=2L(n=1,2,3,……) (n=1,2,3,……) 整理可得:(n=1,2,3,……) 电子在磁场中运动的周期 时间上满足 整理可知: 考点:带电粒子在电场及磁场中的运动 【名师点睛】电子在电场中,关键是将粒子的运动沿着水平方向和竖直方向正交分解,然后根据牛顿运动定律和运动学公式列式分析求解;在磁场中,关键要画出轨迹图分析,特别是第三小题,要抓住周期性,根据几何关系求解电子的半径满足的条件.  
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考点分析:
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如图所示,质量为1kg物块自高台上A点以4m/s的速度水平抛出后,刚好在B点沿切线方向进入半径为0.5m的光滑圆弧轨道运动。到达圆弧轨道最底端C点后沿粗糙的水平面运动4.3m到达D点停下来,已知OB与水平面的夹角满分5 manfen5.com,g=10m/s2(sin53°=0.8,cos53°=0.6).求:

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(1)AB两点的高度差;

(2)物块到达C点时,物块对轨道的压力;

(3)物块与水平面间的动摩擦因数.

 

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C·S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现,当受到应力作用时电阻率发生变化.这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”.压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器,把力学量转换成电信号,半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门.某兴趣小组在研究某长薄板电阻Rx的压阻效应时,找到了下列器材已知Rx的阻值变化范围大约为几欧到几十欧

A.电源E(3V,内阻约为1满分5 manfen5.com

B.电流表A1(0.6A,内阻满分5 manfen5.com

C.电流表A2(0.6A,内阻r2约为1满分5 manfen5.com

D.开关S,定值电阻R0

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(1)为了比较准确地测量电阻Rx的阻值,请根据所给器材画出合理的实物连接图(部分导线已画出,电表A1、A2已标出);

(2)在电阻Rx上加一个竖直向下的力F时,闭合开关S,A1的示数为I1,A2的示数为I2,则Rx=______(用字母表示);

(3)Rx与压力F的关系如图l所示,某次测量时电表A1、A2的示数分别如图2、图3所示,则这时加在薄板电阻Rx上的压力为_______N.

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某同学利用打点计时器做实验时,发现实验数据误差很大,怀疑电源的频率不是50Hz,采用如图甲所示的实验装置来测量电源的频率.已知砝码及砝码盘的质量为m=0.1kg,小车的质量为M=0.4kg,不计摩擦阻力,g取10m/s2.图乙为某次记录小车运动情况的纸带,图中A、B、C、D、E为相邻的计数点,已知相邻的计数点之间还有三个点未画出.

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(1)小车的加速度大小为_____m/s2

(2)根据纸带上所给出的数据,可求出电源的频率为_____Hz;

(3)打纸带上C点时小车的瞬时速度大小为_________m/s.

 

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17世纪,伽利略就通过实验分析指出:在水平面上运动的物体若没有摩擦,将保持这个速度一直运动下去,从而得出力是改变物体运动的原因,这是采用了实验和逻辑推理相结合的方法.在物理学的重大发现中科学家们创造出了许多物理学研究方法,下列关于物理学研究方法的叙述正确的是

A.卡文迪许扭秤实验应用了微元的思想方法

B.满分5 manfen5.com运用了比值定义的方法

C.速度满分5 manfen5.com,当△t非常小时可表示t时刻的瞬时速度,应用了极限思想方法

D.在探究加速度、力和质量三者之间关系的实验中,应用了控制变量法

 

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一个质点在外力作用下做直线运动,其速度v随时间t变化的图象如图所示.用F表示质点所受的合外力,x表示质点的位移,以下四个选项中可能正确的是

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