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如图所示,空间某平面内有一条折线是磁场的分界线,在折线的两侧分布着方向相反、与...

 6ec8aac122bd4f6e如图所示,空间某平面内有一条折线是磁场的分界线,在折线的两侧分布着方向相反、与平面垂直的匀强磁场,磁感应强度大小都为B。折线的顶角∠A=90°,PQ是折线上的两点, AP=AQ=L。现有一质量为m、电荷量为q的带负电微粒从P点沿PQ方向射出,不计微粒的重力。求:

(1)若在PQ间加一与磁场方向垂直的匀强电场,能使速度为v0射出的微粒沿PQ直线运动到Q点,则场强为多大?

(2)撤去电场,为使微粒从P点射出后,途经折线的顶点A而到达Q点,求初速度v应满足什么条件?

(3)求第(2)中微粒从P点到达Q点所用的时间。

   

 

 

 

 ⑴由电场力与洛伦兹力平衡得:qE=qv0B 得:E=v0B(2分) (2)根据运动的对称性,微粒能从P点到达Q点,应满足  (2分) 其中x为每次偏转圆弧对应的弦长,偏转圆弧对应的圆心角为或。 设圆弧的半径为R,则有2R2=x2,可得: (1分) 又 (1分) 由①②③式得:,n=1、2、3、……(2分) ⑶当n取奇数时,微粒从P到Q过程中圆心角的总和为 , ,其中n=1、3、 5、……(3分) 当n取偶数时,微粒从P到Q过程中圆 心角的总和为 ,其中n=2、4、6、……(3分)
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考点分析:
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 6ec8aac122bd4f6e两根平行光滑金属导轨MNPQ水平放置,其间距为d=0.6m,磁感应强度为B=0.5T的匀强磁场垂直轨道平面向下,两导轨之间连接的电阻R =5.4Ω,在导轨上有一粗细均匀的铜棒ab,铜棒与导轨垂直。铜棒的电阻为1.0Ω,其长度为l=1.0m,如图所示。在铜棒上施加水平拉力F使其以v=10m/s的速度向右匀速运动。设金属导轨足够长,金属导轨的电阻不计,铜棒与金属导轨接触良好。磁场范围足够大。求:

⑴铜棒ab两端的电压。

⑵拉力F的大小。

 

 

 

 

 

 

   

 

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 6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e如图所示,位于竖直平面内的1/4光滑圆弧轨道,半径为RO点为切点,离水平地面高ROO/右侧为匀强电场和匀强磁场叠加,大小分别为EB,方向如图所示。质量为m、带电+q的小球aA静止释放,并与在B点质量也为m不带电小球b正碰,碰撞时间极短,且a球电量不变,碰后a沿水平方向做直线运动,b落到水平地面C点,已知重力加速度为g。求:C点与O点的水平距离s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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 6ec8aac122bd4f6e有一根细而均匀的导电材料样品(如图a所示),截面为同心圆环(如图b所示),此样品长L约为3cm,电阻约为100Ω,已知这种材料的电阻率为6ec8aac122bd4f6e,因该样品的内径太小,无法直接测量。现提供以下实验器材:

A.20等分刻度的游标卡尺   

B.螺旋测微器

C.电流表A1(量程50mA,内阻r1=100Ω)

D.电流表A2(量程100mA,内阻r2大约为40Ω)

E.电流表A3(量程3A,内阻r3大约为0.1Ω)

F.滑动变阻器R(0-10Ω,额定电流2A)

G.直流电源E(12V,内阻不计)

H.导电材料样品Rx(长L约为3cm,电阻Rx约为100Ω)

I.开关一只,导线若干

请根据上述器材设计一个尽可能精确地测量该样品内径d的实验方案,回答下列问题:

6ec8aac122bd4f6e(1)(4分)用游标卡尺测得该样品的长度如图甲所示,其示数L=         mm;用螺旋测微器测得该样品的外径如图乙所示,其示数D=         mm。

 

 
6ec8aac122bd4f6e

6ec8aac122bd4f6e(2)(4分)请选择合适的仪器,画出最

佳实验电路图,并标明所选器材前的字母

代号。

(3)(2分)用已知物理量的符号和

测量量的符号来表示样品的内径d

 

d=                                                           

 

 

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 6ec8aac122bd4f6e某同学用多用电表测定一只电阻的阻值,多用电表电阻挡有3种倍率,分别是×100Ω、×10Ω、×1Ω。该同学选择×10Ω倍率,用正确的操作方法测量时,发现指针转过角度太小(指针停在100到200刻度线之间的某个位置)。为了准确地进行测量,请你依次写出接着应该进行的主要操作步骤:

   (1)                      ,    

(2)                      

(3)                     

 若这时刻度盘上的指针位置如

图所示,那么测量结果为______________Ω。

 

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 如图甲中abcd为导体作成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQabcd接触良好且PQ bc平行,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间变化的图像如图乙,PQ始终静止,在0—t0s内,PQ受到的摩擦力的变化情况可能是(     )

6ec8aac122bd4f6e

 

 

 

 

 

 

 

A.f一直增大    B.f一直减小    C.f先减小后增大      D.f先增大后减小

 

 

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