如图甲所示,电阻不计且间距为L=1m的光滑平行金属导轨竖直放置,上端连接阻值为R=2Ω的电阻,虚线OO′下方有垂直于导轨平面向内的匀强磁场。现将质量为m=0.3kg、电阻不计的金属杆ab从OO′上方某处由静止释放,下落过程中与导轨保持良好接触且始终水平。在金属杆ab下落0.3m的过程中,其加速度a与下落距离h的关系图象如图乙所示。已知ab进入磁场时的速度v0=2.0m/s,取g=10m/s2.则下列说法正确的是( )
A. 进入磁场后,金属杆ab中电流的方向由a到b
B. 匀强磁场的磁感应强度为2.0T
C. 金属杆ab下落0.3 m时,其速度为1.0m/s
D. 金属杆ab下落0.3 m的过程中,R上产生的热量为0.75J
如图所示,将条形磁铁插入闭合线圈,第一次用0.2 s,第二次用0.4 s,并且两次插入过程中磁铁相对于线圈的起始和终止位置相同,则( )
A. 第一次穿过线圈的磁通量的最大值比第二次的大
B. 第一次穿过线圈的磁通量的变化比第二次的快
C. 第一次线圈中产生的感应电流比第二次的大
D. 第一次线圈中产生的感应电流比第二次的小
如图(a)所示,在t=0时刻,质量为m、边长为L、电阻为R的正方形金属线框以速度v0进入宽度为L、磁感应强度为B的有界匀强磁场区域。在t=t1时刻,线框恰好全部进入磁场且速度减小为v1;此时对线框施加一沿运动方向的力F,使线框在t=2t1时刻恰好完全离开磁场。该过程中线圈的v-t图象如图(b)所示,图象关于t=t1对称。下列说法正确的是( )
A. 线框进入磁场和穿出磁场的过程,感应电流的方向相同
B. 线框进入磁场和穿出磁场的过程,受到安培力的方向相同
C. 线框进入磁场的过程,通过导体横截面的电荷为
D. 线框穿出磁场的过程中,外力F所做的功为
一闭合线圈放在随时间均匀变化的磁场中,线圈平面和磁场方向垂直.若想使线圈中的感应电流增强一倍,下述方法不可行的是( )
A. 使线圈匝数增加一倍
B. 使线圈面积增加一倍
C. 使线圈匝数减少一半
D. 使磁感应强度的变化率增大一倍
如图所示,开始时矩形线框与匀强磁场的方向垂直,且一半在磁场内,一半在磁场外。若要使线框中产生感应电流,下列办法中可行的是( )
A. 以cd边为轴转动(小于90°)
B. 以ab边为轴转动(小于90°)
C. 以ad边为轴转动(小于60°)
D. 以bc边为轴转动(小于60°)
如图所示,左侧闭合电路中的电流大小为I1,ab为一段长直导线;右侧平行金属导轨的左端连接有与ab平行的长直导线cd,在远离cd导线的右侧空间存在与导轨平面垂直的匀强磁场,在磁场区域放置垂直导轨且与导轨接触良好的导体棒MN,当导体棒沿导轨匀速运动时,可以在cd上产生大小为I2的感应电流。已知I1> I2,不计匀强磁场对导线ab和cd的作用,用f1和f2分别表示导线cd 对ab的安培力大小和ab对cd的安培力大小,下列说法中正确的是( )
A. 若MN向左运动,ab与cd两导线相互吸引,f1=f2
B. 若MN向右运动,ab与cd两导线相互吸引,f1=f2
C. 若MN向左运动,ab与cd两导线相互吸引,f1>f2
D. 若MN向右运动,ab与cd两导线相互吸引,f1>f2