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一定质量的理想气体经历等温压缩过程时,气体压强增大,从分子运动理论观点来分析,这...

一定质量的理想气体经历等温压缩过程时,气体压强增大,从分子运动理论观点来分析,这是因为(  )

A. 气体分子的平均动能增大

B. 气体分子的平均动能不变

C. 单位时间内,器壁单位面积上分子碰撞的次数增多

D. 气体分子数增加

E. 气体的分子数密度增大

 

BCE 【解析】A、气体经历等温压缩,温度是分子热运动平均动能的标志,温度不变,分子热运动平均动能不变,故气体分子每次碰撞器壁的冲力不变,故A错误,B正确; C、由玻意耳定律可知气体的体积减小,分子数密度增加,故单位时间内单位面积器壁上受到气体分子碰撞的次数增多,故C正确; D、气体的体积减小,分子数密度增加,但分子总数是不变的,但是由于体积减小,故气体的分子数密度增大,故D错误,E正确。 点睛:气体压强与大气压强不同,指的是封闭气体对容器壁的压强,气体压强产生的原因是大量气体分子​对容器壁的持续的、无规则撞击产生的.气体压强由气体分子的数密度和平均动能决定。  
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考点分析:
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封闭在容积不变的容器中的气体,当温度升高时,则气体的(  )

A. 分子的平均速率增大

B. 气体对器壁的压强变大

C. 分子的平均速率减小

D. 气体对器壁的压强变小

E. 气体对器壁的压强变大

 

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对一定质量的理想气体,下列说法不正确的是(  )

A. 气体体积是指所有气体分子的体积之和

B. 气体分子的热运动越剧烈,气体的温度就越高

C. 当气体膨胀时,气体的分子势能减小,因而气体的内能一定减少

D. 气体的压强是大量气体分子频繁地碰撞器壁产生的

E. 气体的压强是由气体分子的重力产生的,在失重的情况下,密闭容器内的气体对器壁没有压强

 

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关于理想气体,下列说法正确的是(  )

A. 当把实际气体抽象成理想气体后,它们便不再遵守气体实验定律

B. 温度极低,压强太大的气体不能当作理想气体,也不遵守实验定律

C. 理想气体分子间的平均距离约为1010 m,故分子力为零

D. 理想气体分子间既没引力,也无斥力,分子力为零

E. 理想气体是对实际气体抽象后形成的理想模型

 

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如图所示,倾斜角θ=30°的光滑倾斜导体轨道(足够长)与光滑水平导体轨道连接.轨道宽度均为L=1m,电阻忽略不计.匀强磁场I仅分布在水平轨道平面所在区域,方向水平向右,大小B1=1T;匀强磁场II仅分布在倾斜轨道平面所在区域,方向垂直于倾斜轨道平面向下,大小B2=1T.现将两质量均为m=0.2kg,电阻均为R=0.5Ω的相同导体棒abcd,垂直于轨道分别置于水平轨道上和倾斜轨道上,并同时由静止释放.取g=10m/s2

1)求导体棒cd沿斜轨道下滑的最大速度的大小;

2)若已知从开始运动到cd棒达到最大速度的过程中,ab棒产生的焦耳热Q=0.45J,求该过程中通过cd棒横截面的电荷量;

3)若已知cd棒开始运动时距水平轨道高度h=10mcd棒由静止释放后,为使cd棒中无感应电流,可让磁场的磁感应强度随时间变化,将cd棒开始运动的时刻记为t=0,此时磁场的磁感应强度为B0=1T,试求cd棒在倾斜轨道上下滑的这段时间内,磁场的磁感应强度B随时间t变化的关系式.

 

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如图所示,电阻不计的形足够长且平行的导轨,间距L1 m,导轨倾斜部分的倾角θ53°,并与定值电阻R相连,整个空间存在着B5 T、方向垂直倾斜导轨平面向上的匀强磁场.金属棒abcd的阻值RabRcdRcd棒质量m1 kgab棒光滑,cd与导轨间动摩擦因数μ0.3,设最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g10 m/s2sin 53°0.8cos 53°0.6,求:

(1)ab棒由静止释放,当滑至某一位置时,cd棒恰好开始滑动,求这一时刻ab棒中的电流;

(2)ab棒无论从多高的位置释放,cd棒都不动,分析ab棒质量应满足的条件;

(3)cd棒与导轨间的动摩擦因数μ≠0.3ab棒无论质量多大、从多高的位置释放,cd棒始终不动,求cd棒与导轨间的动摩擦因数μ应满足的条件.

 

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