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在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后...

在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P和P3,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P和P3(  )

A. 在电场中的加速度之比为11    B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为12    D. 离开电场区域时的动能之比为13

 

CD 【解析】试题分析:两个离子的质量相同,其带电量是1:3的关系,所以由可知,其在电场中的加速度是1:3,故A错.要想知道半径必须先知道进入磁场的速度,而速度的决定因素是加速电场,所以在离开电场时其速度表达式为:,可知其速度之比为1:.又由知,,所以其半径之比为:1,故B错误.由B的分析知道,离子在磁场中运动的半径之比为:1,设磁场宽度为L,离子通过磁场转过的角度等于其圆心角,所以有,则可知角度的正弦值之比为1:,又P+的角度为30°,可知P3+角度为60°,即在磁场中转过的角度之比为1:2,故C正确.由电场加速后:qU=mv2可知,两离子离开电场的动能之比为1:3,故D正确.故选CD. 考点:带电粒子在电场及磁场中的运动 【名师点睛】磁场中的圆周运动问题重点是要找出半径,然后通过合理的作图画出粒子的运动轨迹,基本就可以解决问题了,磁场中的轨迹问题是高考特别喜欢考查的内容,而且都是出大题,应该多做训练。  
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B. O点的电场强度为零,电势最高

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D. O点沿x轴正方向,电场强度增大,电势降低

 

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A.     B.     C.     D.

 

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A.     B.     C.     D.

 

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