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环形对撞机是研究高能离子的重要装置,如图所示正、负离子由静止经过电压为U的直线加...

环形对撞机是研究高能离子的重要装置,如图所示正、负离子由静止经过电压为U的直线加速器加速后,沿圆环切线方向注入对撞机的真空环状空腔内,空腔内存在着与圆环平面垂直的匀强磁场,磁感应强度大小为B.(两种带电粒子将被局限在环状空腔内,沿相反方向做半径相等的匀速圆周运动,从而在碰撞区迎面相撞)为维持带电粒子在环状空腔中的匀速圆周运动,下列说法正确的是(  )

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A.对于给定的加速电压,带电粒子的比荷满分5 manfen5.com越大,磁感应强度B越小

B.对于给定的加速电压,带电粒子的比荷满分5 manfen5.com越大,磁感应强度B越大

C.对于给定的带电粒子,不管加速电压U多大,粒子运动的周期都不变

D.对于给定的带电粒子,加速电压U越大,粒子运动的周期越小

 

AD 【解析】 试题分析:由题意知道正负电子经加速后进入匀强磁场做匀速圆周运动,由洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律推导出电子 圆周运动的半径和周期表达式,再进行分析. 【解析】 电子在加速电场中,根据动能定理得 qU=mv2 ① 电子在匀强磁场中由洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律得 qvB=m ② 得到,电子圆周运动的半径r= 周期T= AB、对于给定的加速电压,v不变,又由题得知,r不变,则带电粒子的比荷越大,则B越小.故A周期,B错误. CD、由上可知,加速电压U越大,电子获得的速度v越大,要保持半径r不变,B应增大,则T会减小.故C错误,D正确. 故选:AD. 【点评】本题是带电粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动类型,除了常规思路外,抓住隐含条件进行分析是关键;本题的隐含条件是电子的运动半径不变.  
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如图所示,电路甲、乙中,电阻R和自感线圈L的电阻值都很小,接通S,使电路达到稳定,灯泡D发光,则(  )

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A.在电路甲中,断开S,D将逐渐变暗

B.在电路甲中,断开S,D将先变得更亮,然后渐渐变暗

C.在电路乙中,断开S,D将渐渐变暗

D.在电路乙中,断开S,D将变得更亮,然后渐渐变暗

 

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如图所示,有两个相邻的有界匀强磁场区域,磁感应强度的大小均为B,磁场方向相反,且与纸面垂直,磁场区域在x轴方向宽度均为a,在y轴方向足够宽.现有一高为a的正三角形导线框从图示位置开始向右匀速穿过磁场区域.若以逆时针方向为电流的正方向,在下图中,线框中感应电流i与线框移动距离x的关系图象正确的是(  )

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A.满分5 manfen5.com    B.满分5 manfen5.com

C.满分5 manfen5.com    D.满分5 manfen5.com

 

 

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半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品,置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时,样品上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电.设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示(已知电流I=nqvS,其中v为载流子定向移动的速度,S为导体横截面积),则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是

(  )

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A.是N型半导体,n=满分5 manfen5.com    B.是P型半导体,n=满分5 manfen5.com

C.是N型半导体,n=满分5 manfen5.com    D.是P型半导体,n=满分5 manfen5.com

 

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如图甲是线圈绕垂直于磁场的轴在匀强磁场中匀速转动时所产生的正弦交流电图象,把该交流电压加在图乙中变压器的A、B两端,已知理想变压器原线圈I和副线圈Ⅱ的匝数比为5:1,交流电流表和交流电压表均为理想电表,电阻R=1Ω,其它各处电阻不计,以下说法正确的是(  )

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A.在t=0.1s、0.5s时,穿过线圈的磁通量最大

B.线圈转动的角速度为10πrad/s

C.电压表的示数为满分5 manfen5.comV

D.电流表的示数为0.40A

 

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如图所示电路中,R1、R2为定值电阻,R3为滑动变阻器,电源内阻不可忽略,当滑动变阻器的滑动片向左移动时,电流表、电压表可视为理想电表,关于电流表和电压表示数的变化情况的分析,正确的是(  )

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A.电流表A和电压表V1的示数均减小

B.电流表A和电压表V2的示数均增大

C.电压表V1的示数变化量等于电压表V2的示数变化量

D.电流表A的示数变大,电压表V1的示数变大,V2的示数变小

 

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