半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品,置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时,样品上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电.设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示(已知电流I=nqvS,其中v为载流子定向移动的速度,S为导体横截面积),则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是
( )
A.是N型半导体,n= B.是P型半导体,n=
C.是N型半导体,n= D.是P型半导体,n=
如图甲是线圈绕垂直于磁场的轴在匀强磁场中匀速转动时所产生的正弦交流电图象,把该交流电压加在图乙中变压器的A、B两端,已知理想变压器原线圈I和副线圈Ⅱ的匝数比为5:1,交流电流表和交流电压表均为理想电表,电阻R=1Ω,其它各处电阻不计,以下说法正确的是( )
A.在t=0.1s、0.5s时,穿过线圈的磁通量最大
B.线圈转动的角速度为10πrad/s
C.电压表的示数为V
D.电流表的示数为0.40A
如图所示电路中,R1、R2为定值电阻,R3为滑动变阻器,电源内阻不可忽略,当滑动变阻器的滑动片向左移动时,电流表、电压表可视为理想电表,关于电流表和电压表示数的变化情况的分析,正确的是( )
A.电流表A和电压表V1的示数均减小
B.电流表A和电压表V2的示数均增大
C.电压表V1的示数变化量等于电压表V2的示数变化量
D.电流表A的示数变大,电压表V1的示数变大,V2的示数变小
如图所示是利用静电计研究平行板电容器的电容与哪些因素有关的实验装置示意图,下面的叙述符合实际观测结果的是( )
A.a板向右平移,静电计指针偏转角度变小
B.a板向上平移,静电计指针偏转角度变小
C.a板向左平移,静电计指针偏转角度变小
D.在ab间插入一块绝缘介质,静电计指针偏转角度变大
如图所示,小磁针正上方的直导线与小磁针平行,当导线中有电流时,小磁针会发生偏转.首先观察到这个实验现象的物理学家和观察到的现象是( )
A.物理学家伽利略,小磁针的S极垂直转向纸内
B.物理学家楞次,小磁针的N极垂直转向纸内
C.物理学家牛顿,小磁针静止不动
D.物理学家奥斯特,小磁针的N极垂直转向纸内
如图所示的电场线,可判定( )
A.该电场一定是匀强电场
B.负电荷放在B点所受电场力方向向右
C.A点的电势一定低于B点电势
D.负电荷放在B点的电势能比放在A点的电势能大