下列离子方程式正确的是
A．金属钠与水反应：Na+ H2O=Na++ H2
B．氯化铵溶液显酸性的原因：NH4+ +H2O=NH3·H2O+H+
C．AICl3溶液中加入足量氨水：Al3++4NH3-H2O= AlO2-+4NH4+2H2O
D．氯化铁溶液中滴加少量的硫化氢溶液：2Fe3++H2S= 2Fe2++S+2H+
青蒿素是抗疟特效药属于萜类化合物，如图所示有机物也属于萜类化合物，该有机物的一氯取代物有（不含立体异构）
A．5种 B．6种
C．7种 D．8种
化学与人类社会的生产、生活有着密切联系。下列叙述中正确的是
A．铜制品既能发生吸氧腐蚀又能发生析氢腐蚀
B．铝制品由于表面有致密的氧化膜，可以稳定存在于空气中
C．苹果放在空气中久置变黄和漂白过纸张久置变黄原理相似
D．高纯度的SiO2对光有很好的折射和全反射作用，可以制成光电池将光能直接转化为电能
芳香酯I的合成路线如下：
巳知以下信息：
①A-I均为芳香族化合物，A的苯环上只有一个取代基，B能发生银镜反应，D的相对分
子质量比C大4，E的核磁共振氢谱有3组峰。
请回答下列问题：
（I）A→B的反应类型为 ，G所含官能团的名称为 。
（2）步骤E→F与F→G的顺序能否颠倒？ （填“能”或“否”），理由： 。
（3）B与银氨溶液反应的化学方程式为 。
（4）I的结构简式为_________。
（5）符合下列要求的A的同分异构体有 种。
①遇氯化铁溶液显紫色 ②属于芳香族化合物
（6）根据已有知识并结合相关信息，写出以CH3CH2OH为原料制备CH3CH2CH2CH2OH的合成路线流程图（无机试剂任用）。合成路线流程图示例如下：
E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于p区的同一周期的元素，M的价层电子排布为ns2np2n，E与M原子核外的未成对电子数相等；QM2与GM2-具有相等的价电子总数；T为过渡元素，其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题：
（1）T元素原子的价电子排布式是__________。
（2）E、G、M三种元素的第一电离能由大到小的顺序为__ （用元素符号表示），其原因为________。
（3）E、G、M的最简单氢化物中，键角由大到小的顺序为 （用分子式表示），其中G的最简单氢化物的分子立体构型名称为_____ ___，M的最简单氢化物的分子中中心原子的杂化类型为 。M和Q的最简单氢化物的沸点大小顺序为__________（写化学式）。
（4）EM、GM+、G2互为等电子体，EM的结构式为（若有配位键，请用“→”表示）。E、M电负性相差1.0，由此可以判断EM应该为极性较强的分子，但实际上EM分子的极性极弱，请解释其原因： 。
（5） TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如图所示，该晶体的密度为pg·cm-3。如果TQ的摩尔质量为Mg．mol-1，阿伏加德罗常数为NA mol-1，则a、b之间的距离为_______cm。
硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了许多奇迹。
（l）新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCI4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面，写出该反应的化学方程式_ ___。
（2）已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物）合成氮化硅的主要工艺流程如下：
①净化N2和H2时，铜屑的作用是 ；硅胶的作用是__________。
②在氮化炉中3Si（s） +2N2（g） =Si3N4（S） △H= -727.5kJ．mol-l，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度？ ；体系中要通人适量的氢气是为了__________。
③X可能是 （选填“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”或“氢氟酸”）。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水能发生剧烈反应，写出该反应的化学方程式 。
②假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCI的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93．75%。则在第二轮次的生产中，补充投入HC1和H2的物质的量之比是 。
