如图所示，在平行竖直虚线a与b、b与c、c与d之间分别存在着垂直于虚线的匀强电场...

如图所示，在平行竖直虚线a与b、b与c、c与d之间分别存在着垂直于虚线的匀强电场、平行于虚线的匀强电场、垂直纸面向里的匀强磁场,虚线d处有一荧光屏。大量正离子(初速度和重力均忽略不计）从虚线a上的P孔处进入电场,经过三个场区后有一部分打在荧光屏上。关于这部分离子,若比荷q/m越大,则离子（）

A．经过虚线C的位置越低

B．经过虚线C的速度越大

C．打在荧光屏上的位置越低

D．打在荧光屏上的位置越高

BD 【解析】试题分析：粒子在ab区间的加速电场中，由动能定理可知：，粒子在cd区间内匀强电场中做类平抛运动，，在cd区间内经过的时间：，在cd区间内的偏转量：，联立以上几个公式，整理得：，所以，粒子经过虚线c的位置都相同．故A错误；粒子在cd区间内电场力做功：，联立以上几个公式，整理得：．所以粒子的比荷越大，经过虚线c的速度越大．故B正确；设偏转角为，有：，所以粒子进入区间cd时的角度都是相同的．粒子在cd的区间内做匀速圆周运动，洛伦兹力提供向心力，得：，得：，所以粒子的比荷越大，在磁场中运动的半径越小，由图可知，在磁场中运动的半径越小打在荧光屏上的位置越高．故C错误，D正确。考点：考查了带电粒子在电磁场中的运动

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考点分析：

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如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力Ff随时间变化的图象可能正确的是（取平行斜面向上为正方向）（）