Question

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料或用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:

A1	Si	P
Ga	Ge	As

回答下列问题:

（1）六种元素中，非金属性最强的元素是:________.写出As原子的最外层的电子排布式_________,As原子核外有_____个未成对电子。

（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_____As。(选填“>”、  “<”或“=”)。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式:________________

（3）NH₃ 的分子构型是_______。GaF₃的熔点高于1000°C,GaCl₃的熔点为77.9°C,可能的原因是_______.写出C₂H₂的电子式为:_________

（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因___________

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔点/°C	-49.5	26	146
沸点/°C	83.1	186	约400

Answer

P 4s24p3 3 ＞ H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH– 三角锥形 GaF3 是离子晶体， GaCl3是分子晶体 GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸点依次上升。因为其组成和结构相似的物质，都是分子晶体，随分子量增大，范德华力增大，熔沸点上升

【解析】(1)同一主族，从上到下，非金属性减弱；同一周期，从左向右，非金属性增强，非金属性最强的是P元素；As为ⅤA族33号元素，电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s24p3，因此最外层的电子排布式为4s24p3，有3个未成对电子，故答案为：P；4s24p3；3；

(2)根据元素周期律，Ga与As位于同一周期，Ga原子序数小于As，故半径Ga大于As，铝的最高价氧化物对应水化物——氢氧化铝的电离方程式为H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–，故答案为：＞；H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–；

(3)NH3 中价层电子对个数=σ键个数+孤电子对个数=3+=4，所以原子杂化方式是sp3，由于有一对孤对电子对，分子空间构型为三角锥形；GaF3 是离子晶体，GaCl3是分子晶体，使得GaF3 的熔点不GaCl3高很多；C2H2的电子式为，故答案为：三角锥形；GaF3 是离子晶体， GaCl3是分子晶体；；

(4)根据表格数据，GeCl4、 GeBr4、 GeI4的组成和结构相似，都是分子晶体，相对分子质量依次增大，范德华力增大，熔沸点上升，故答案为：GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸点依次上升。因为其组成和结构相似的物质，都是分子晶体，随分子量增大，范德华力增大，熔沸点上升。