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实验室利用下列装置模拟工业生产制备少量硝酸。 (1)装置 A 的作用是_____...

实验室利用下列装置模拟工业生产制备少量硝酸。

(1)装置 A 的作用是________, NaOH 溶液的作用是 _________________________

(2)化学实验室制氨气化学方程式为__________

(3)实验时先用酒精喷灯预热催化剂,然后通入反应气体,当催化剂红热后撤离酒精喷灯,催化剂始终保持红热,温度可达到 700℃以上。下列图示中,能够正确表示该反应过程能量变化的是(填字母)_____________

(4)在微电子工业中,氨气的水溶液可作刻蚀剂 H2O2 的清除剂,所得产物不污染环境,其化学方程式是__________

 

安全瓶,防倒吸 吸收尾气 2NH4Cl+Ca(OH)2 CaCl2+2H2O+2NH3↑ A 3H2O2+2NH3=N2+6H2O 或 3H2O2+2NH3·H2O=N2+8H2O 【解析】(1)因为NH3极易溶于水,由装置图知A 的作用是安全瓶,防倒吸装;置B中二氧化氮与水反应生成硝酸,用氢氧化钠溶液吸收氮的氧化物,防止污染空气,因此,本题正确答案是: 安全瓶,防倒吸;吸收尾气。 (2)化学实验室用NH4Cl和Ca(OH)2反应生成CaCl2、H2O和NH3,实验室制氨气化学方程式为2NH4Cl+Ca(OH)2 CaCl2+2H2O+2NH3↑ (3)反应为放热反应,放出大量的热,反应物的总能量比生成物的总能量高, 700℃时水是气体,因此,本题正确答案是:A; (4)NH3的水溶液可作刻蚀剂H2O2的清除剂,所发生反应的产物不污染环境,反应生成氮气与水,化学方程式为3H2O2+2NH3·H2O=N2+8H2O,因此,本题正确答案是: 3H2O2+2NH3·H2O=N2+8H2O  
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考点分析:
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下表列出了①~⑨九种元素在周期表中的位置:

请按要求回答下列问题。

(1)元素的名称是______,元素在周期表中所处位置____________,元素形成的单质具有____________ (氧化性还原性”)。

(2)元素④⑦⑧的气态氢化物的稳定性由弱到强的顺序: _____________________ (用化学式表示)。

(3)写出一条能说明元素的金属性比元素强的事实:_____________

(4)写出元素形成的单质与水反应的离子方程___________

(5)用电子式表示元素与元素形成的化合物的形成过程____________

 

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Ⅰ.如图所示,组成一种原电池。试回答下列问题(灯泡功率合适):

(1)电解质溶液为稀硫酸时,灯泡______ (不亮,填 a 题,填不亮 b)。

a.若灯泡亮, Al 电极上发生的反应为______

b.若灯泡不亮, 其理由为______。

(2)电解质溶液为 NaOH 溶液时,灯泡______ (不亮,填 a 题,填不亮 b )。

a.若灯泡亮, Al 电极上发生的反应为______

b.若灯泡不亮, 其理由为______。

Ⅱ. CH4 既是一种重要的能源,也是一种重要的化工原料。

(1)甲烷的电子式为______

(2) CH4为燃料可设计成结构简单、能量转化率高、对环境无污染的燃料电池,其工作原理下图所示,则通入 a 气体的电极名称为______通入 b 气体的电极反应式______。(质子交换膜只允许 H+通过)

 

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(1)中共有______种元素, ______种原子,中子数最多的是____________

(2) 1—18 号元素中(稀有气体元素除外),能形成最稳定气态氢化物的元素是______;原子半径最大的元素是______最高价氧化物对应的水化物中, 碱性最强的是______,酸性最强的是______。(用相应的元素符号或化学式作答)

(3)在下列物质中: a.CaCl2  b.KOH  c.Ne  d.H2SO4  e.NH4Cl  f.金刚石

其中不含化学键的物质是______;既含有离子键又含有共价键的物质是______;属于共价化合物的是_______。 (填序号)

 

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如图是周期表中短周期的一部分, WXY 三种元素原子核外电子数之和等于 X的质量数, X 原子核内质子数和中子数相等。下列叙述中不正确的是( )

A. X W 的某种氧化物的排放均可形成酸雨

B. Y 的单质具有很强的氧化性,能从 KI 溶液中置换出 I2

C. W 最高价氧化物对应水化物和气态氢化物可反应生成盐

D. 三种元素的原子半径的大小顺序为: X>W>Y

 

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下列推测或结论不合理的是( )

A. (At)为有色固体, AgAt 难溶于水也不溶于稀硝酸

B. X2- Y+核外电子层结构相同,原子序数: X<Y

C. 由水溶液的酸性: HCl>H2S,可推断出元素的非金属性: Cl>S

D. 硅、锗都位于金属与非金属的交界处,都可以做半导体材料

 

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