单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为 ：①SiO2 + 2C 
Si + 2CO；②Si + 2Cl2
SiCl4；③SiCl4 + 2H2
Si + 4HCl，其中反应①和③属于( )
A．化合反应 B．分解反应 C．置换反应 D．复分解反应
下列离子方程式正确的是( )
A．石灰水与过量碳酸氢钠溶液反应：HCO
＋Ca2＋＋OH－===CaCO3↓＋H2O
B．硫酸氢钠溶液中加入氢氧化钡溶液至中性： 2H＋＋SO
＋Ba2＋＋2OH－===BaSO4↓＋2H2O
C．氧化铜与稀硫酸反应：2H＋＋O2－===H2O
D．碳酸氢钠溶液中加入盐酸：CO
＋2H＋===CO2↑＋H2O
已知：CH3CH2CH2CH3(g)＋6.5 O2(g)→4CO2(g)＋5H2O(l) ΔH＝－2 878 kJ·mol－1
(CH3)2CHCH3(g)＋6.5 O2(g)→4CO2(g)＋5H2O(l) ΔH＝－2 869 kJ·mol－1
下列说法正确的是
A．正丁烷分子储存的能量大于异丁烷分子
B．正丁烷的稳定性大于异丁烷
C．异丁烷转化为正丁烷的过程是一个放热过程
D．异丁烷分子中的碳氢键比正丁烷的多
对于反应：4NH3(g) + 5O2(g) 
4NO(g) + 6H2O(g)， 下列为四种不同情况下测得的反应速率，其中能表明该反应进行最快的是
A．v(NH3)= 0.2mol·L-1·s-1
B．v(O2 )= 0.24 mol·L-1·s-1
C．v(H2O )= 0.25 mol·L-1·s-1
D．v(NO) = 0.15 mol·L-1·s-1
氮氧化铝(AlON)是一种高硬度防弹材料，可以在高温下由反应Al2O3+C+N2=2AlON+CO合成，下列有关说法正确的是
A．氮氧化铝中氮的化合价是-3
B．反应中每生成5.7g AlON 同时生成1.12 L CO
C．反应中氧化产物和还原产物的物质的量之比是2:1
D．反应中氮气作氧化剂
下列实验操作完全正确的是
编号 | 实验 | 操作 |
A | 钠与水反应 | 用镊子从煤油中取出金属钠，切下绿豆大小的钠，小心放入装满水的烧杯中 |
B | 配制一定浓度的氯化钾溶液1000mL | 准确称取氯化钾固体，放入到1000ml的容量瓶中，加水溶解，振荡摇匀，定容 |
C | 排除碱式滴定管尖嘴部分的气泡 | 将胶管弯曲使玻璃尖嘴斜向上，用两指捏住胶管，轻轻挤压玻璃珠，使溶液从尖嘴流出 |
D | 取出分液漏斗中所需的上层液体 | 下层液体从分液漏斗下端管口放出，关闭活塞，换一个接收容器，上层液体继续从分液漏斗下端管口放出 |
