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锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题: (1)...

锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:

(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]____________,有__________个未成对电子。

(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但Ge原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构角度分析,原因是________________。

(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因_____________________。

 

GeCl4

GeBr4

GeI4

熔点/℃

49.5

26

146

沸点/℃

83.1

186

约400

 

(4)光催化还原CO2制备CH4反应中,带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是______________。

(5)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为______________微粒之间存在的作用力是_____________。

(6)晶胞有两个基本要素:①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,下图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);B为(,0,);C为(,0)。则D原子的坐标参数为______。

②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状,已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76 pm,其密度为__________g·cm-3(列出计算式即可)。

 

(1)3d104s24p2; 2 (2)锗的原子半径大,原子之间形成的σ单键较长,p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键 (3)GeCl4、GeBr4、GeI4熔、沸点依次增高;原因是分子结构相似,相对分子质量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强 (4)O>Ge>Zn (5)sp3;共价键 (6)①(;;) ② 【解析】 试题分析: (1)Ge是32号元素,位于第四周期第IVA族,基态Ge原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2 或[Ar]3d104s24p2,在最外层的4s能级上2个电子为成对电子,4p轨道中2个电子分别处以不同的 轨道内,有2轨道未成对电子。 故答案为:3d104s24p2;2; (2)虽然Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但考虑Ge的原子半径大,难以通过 “肩并肩”方式形成π键,所以Ge原子之间难以形成双键或叁键。 故答案为:Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键; (3)锗的卤化物都是分子晶体,分子间通过分子间作用力结合,对于组成与结构相似的分子晶体,相 对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高,由于相对分子质量:GeCl4<GeBr4<GeI4,故 沸点:GeCl4<GeBr4<GeI4。 故答案为:GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高;原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强; (4)元素非金属性:Zn<Ge<O,元素的非金属性越强,吸引电子的能力越强,元素的电负性越大, 故电负性:O>Ge>Zn。 故答案为:O>Ge>Zn; (5)Ge单晶具有金刚石型结构,Ge原子与周围4个Ge原子形成正四面体结构,向空间延伸的立体网 状结构,属于原子晶体,Ge原子之间形成共价键,Ge原子杂化轨道数目为4,采取sp3杂化。 故答案为:sp3;共价键; (6)①D与周围4个原子形成正四面体结构,D与顶点A的连线处于晶胞体对角线上,过面心B、C 及上底面面心原子的平面且平行侧面将晶胞2等分,同理过D原子的且平衡侧面的平面将半个晶 胞再2等份,可知D处于到各个面的处,则D原子的坐标参数为(;;)。 故答案为(;;); ②晶胞中Ge原子数目为4+8×+6×=8,结合阿伏伽德罗常数,可求出晶胞的质量为 ,晶胞参数a=565.76pm,其密度为÷(565.76×10-10cm)3= g•cm-3。 故答案为:。 考点:核外电子排布;晶体结构和性质;晶胞的计算  
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考点分析:
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:

1)写出基态As原子的核外电子排布式________________________

2)根据元素周期律,原子半径Ga_____________As,第一电离能Ga____________As。(填大于小于

3AsCl3分子的立体构型为____________________,其中As的杂化轨道类型为_________

4GaF3的熔点高于1000℃GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是_____________________

5GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,GaAs________键键合。GaAs的摩尔质量分别为MGag·mol-1MAs g·mol-1,原子半径分别为rGapmrAspm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________

 

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下列叙述错误的是(  )

①离子键没有方向性和饱和性,而共价键有方向性和饱和性

②配位键在形成时,是由成键双方各提供一个电子形成共用电子对

③金属键的实质是金属中的“自由电子”与金属阳离子形成的一种强烈的相互作用

④在冰晶体中,既有极性键、非极性键,又有氢键

⑤化合物NH4Cl和CuSO4·5H2O都存在配位键

⑥NaCl、HF、CH3CH2OH、SO2都易溶于水,但原因不完全相同(  )

A.①③       B.②④      C.②⑤       D.④⑥

 

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有5种元素X、Y、Z、Q、T。X原子M层上有2个未成对电子且无空轨道;Y原子的特征电子构型为3d64s2;Z原子的L电子层的p能级上有一个空轨道;Q原子的L电子层的P能级上只有一对成对电子;T原子的M电子层上p轨道半充满。下列叙述不正确的是(  )

A.元素Y和Q可形成化合物Y2O3

B.T和Z各有一种单质的空间构型为正四面体形

C.X和Q结合生成的化合物为离子化合物

D.ZO2是极性键构成的非极性分子

 

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最近发现一种由钛(Ti)原子和碳原子构成的气态团簇分子,分子模型如图所示,其中圆圈表示钛原子,黑点表示碳原子,则它的化学式为(  )

../AppData/Local/Microsoft/Windows/Temporary%20Internet%20Files/Application%20Data/Microsoft/Word/3化185.EPS

A.TiC      B.Ti13C14

C.Ti4C7     D.Ti14C13                         

 

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关于化学式[TiCl(H2O)5]Cl2·H2O的配合物的下列说法中正确的是( )

A. 配位体是ClH2O,配位数是9

B. 中心离子是Ti4,配离子是[TiCl(H2O)5]2

C. 内界和外界中的Cl的数目比是1∶2

D. 加入足量AgNO3溶液,所有Cl均被完全沉淀

 

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